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[主观题]

一个杂质原子就可提供一个自由电子,这种杂质半导体中电子浓度大大高于空穴浓度,主要依靠电子导电,故称()。

一个杂质原子就可提供一个自由电子,这种杂质半导体中电子浓度大大高于空穴浓度,主要依靠电子导电,故称()。

提问人:网友Dume2021 发布时间:2022-03-20
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第1题
杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。A、N型半导体B、P型半导

杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。

A、N型半导体

B、P型半导体

C、电子型半导体

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第2题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

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第3题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第4题
什么是“杂质饱和电离”?在杂质饱和电离条件下,写出N型...

什么是“杂质饱和电离”?在杂质饱和电离条件下,写出N型半导体的电子和空穴浓度,以及P型半导体的电子和空穴浓度

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第5题
P型半导体的特征是?()

A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度

E.电子浓度和空穴浓度均为0

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第6题
在杂质半导体中,少数载流子的浓度与 有关。

A.电子

B.空穴

C.掺杂浓度

D.温度

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第7题
下述说法中,正确的是()。 (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只

下述说法中,正确的是( )。

(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好

(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电

(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能

(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动

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第8题
以下关于本征电导描述错误的是

A.本质电导是指导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在

B.本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等

C.本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供

D.低温下,杂质半导体的本征电导起主要作用

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第9题
下述说法中,正确的是

A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。

B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。

C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。

D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。

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第10题
关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是

A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度

B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度

C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度,

D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度

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第11题
杂质半导体中随温度升高浓度增大的是______。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.空穴

D.自由电子

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