杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。
A、N型半导体
B、P型半导体
C、电子型半导体
杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。
A、N型半导体
B、P型半导体
C、电子型半导体
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
下述说法中,正确的是( )。
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
A.本质电导是指导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在
B.本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等
C.本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供
D.低温下,杂质半导体的本征电导起主要作用
A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。
B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。
C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。
D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。
A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度,
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
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