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[多选题]
在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除，这一过程叫去胶，常用的去胶方法有（)。
A.溶剂去胶
B.氧化去胶
C.物理去胶
D.等离子体去胶
提问人：网友文旻昊
发布时间：2022-01-07
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A.溶剂去胶
B.等离子体去胶
C.氧化去胶
D.刻蚀去胶
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第3题
光刻加工的工艺过程为：（)A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C
光刻加工的工艺过程为：()
A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
C.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
第5题
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
A.除去光刻胶中剩余的溶剂
B. 增强光刻胶对晶片表面的附着力
C. 提高光刻胶的抗刻蚀能力
D. 有利于以后的去胶工序
E. 减少光刻胶的缺陷
第8题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
第9题
光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？
A.打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
B.打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
C.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶
D.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀
