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第1题
关于抑制栅感应漏端泄漏电流说法错误的是（）。
A.采用突变结
B.采用更高介电常数的氧化层
C.降低氧化层厚度
D.减小源漏区域的交叠
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第2题
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
A.增加沟道长度
B.减小栅氧化层厚度
C.减小沟道宽度
D.提高阈值电压
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第3题
MOS管的栅源击穿电压一般比较小，因为栅氧化层厚度较小
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第4题
下列不会加重漏致势垒降低效应的是（)
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
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第5题
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
A.减小沟道长度
B.增加栅氧化层厚度
C.增加沟道宽度
D.降低衬底掺杂浓度
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第6题
下列不会加重漏致势垒降低效应的是（）
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
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第7题
影响阈值电压的因素不包括以下哪一个？
A.衬底的掺杂浓度
B.二氧化硅中的电荷数量及性质
C.栅氧化层厚度
D.栅极、源极、漏极电压
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第8题
影响MOSFET阈值电压的因素有（）。
A.栅氧化层厚度
B.沟道宽度
C.衬底掺杂浓度
D.氧化层固定电荷
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第9题
题3-3-3 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。
A.元器件的组成部分（如栅氧化层）
B.源漏极
C.互连层间绝缘介质
D.作为掩蔽膜
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第10题
下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流（）。
A.减少栅极氧化层厚度
B.减少硅表面缺陷密度
C.减少漏极电压
D.减少漏极掺杂浓度
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