简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何...

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

A.会对晶体结构产生损伤

B.离子注入设备复杂且昂贵

C.高温工艺

D.沟道效应(或通道效应)存在

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

A.沟道效应，＜

B.沟道效应，＞

C.横向效应，＜

D.横向效应，＞

A.偏转注入或倾斜硅片

B.在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化

C.提高离子注入的速度

D.衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)