什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免?
A.会对晶体结构产生损伤
B.离子注入设备复杂且昂贵
C.高温工艺
D.沟道效应(或通道效应)存在
A.离子注入对半导体晶格没有损伤
B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度
C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子
D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
A.沟道效应,<
B.沟道效应,>
C.横向效应,<
D.横向效应,>
A.偏转注入或倾斜硅片
B.在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料),使入射离子进入硅晶体前无序化
C.提高离子注入的速度
D.衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)
为鼓励登录用户提交答案,简答题每个月将会抽取一批参与作答的用户给予奖励,具体奖励活动请关注官方微信公众号:简答题
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!